गैलियम आर्सेनाइड
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गैलियम आर्सेनाइड (Gallium arsenide / GaAs), एक रासायनिक यौगिक है जो गल्लियम और आर्सैनिक तत्त्वों से मिलकर बनता है। यह एक अर्धचालक पदार्थ है जिसकी क्रिस्टल संरचना जिंक ब्लेन्ड क्रिस्टल सांरचना जैसी है। गैलियम आर्सेनाइड से बहुत सी युक्तियाँ बनायी जातीं हैं, जैसे माइक्रोवेव आवृत्ति पर काम करने वाले एकीकृत परिपथ (IC), मोनोलिथिक माइक्रोवेव एकीकृत परिपथ, अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक डायोड, लेज़र डायोड, सौर सेल, तथा प्रकाशीय खिड़कियाँ।
GaAs का उपयोग प्रायः अन्य III-V अर्धचालकों के एपितैक्सियल विकास के लिए सबस्ट्रेट पदार्थ के रूप में होता है, जैसे इंडियम गैलियम आर्सेनाइड, एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड आदि।